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AL5801
Pre-Bias Transistor Electrical Characteristics: (Q2) (@T A = +25°C, unless otherwise specified.)
Characteristic (Note 10)
Input Voltage
Output Voltage
Output Current
DC Current Gain
Input Resistance
Resistance Ratio
Symbol
V I(off)
V I(on)
V O(on)
I O(off)
G 1
R 1
R 2 /R 1
Min
0.4
-
-
-
80
3.2
8
Typ
-
-
0.05
-
-
4.7
10
Max
-
1.5
0.3
0.5
-
6.2
12
Unit
V
V
V
μ A
-
k ?
-
Test Condition
V CC = 5V, I O = 100 μ A
V CC = 0.3V, I O = 5mA
I O /I I = 5mA/0.25mA
V CC = 50V, V I = 0V
V O = 5V, I O = 10mA
-
-
Notes:
10. Short duration pulse test used to minimize self-heating effect.
Thermal Characteristics
1.2
1.2
T A = 25°C
1.0
50mm x 50mm
(2oz. FR4)
1.0
2oz. FR4
0.8
0.6
0.4
0.2
25mm x 25mm
(2oz. FR4)
15mm x 15mm
(2oz. FR4)
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
25
50 75 100
TEMPERATURE (°C)
Figure 2 Derating Curve
125
150
0
0
500 1,000 1,500 2,000
2
COPPER AREA (mm )
Figure 3 Area vs. Max Power
2,500
180
160
140
120
100
80
60
40
20
T A = 25°C
25mm x 25mm
1oz. FR4
D = 0.5
D = 0.2
D = 0.1
D = 0.05
Single Pulse
0
0.0001
0.001
0.01
0.1 1 10
100
1,000
PULSE WIDTH (s)
Figure 4 Transient Thermal Impedance
AL5801
Document number: DS35555 Rev. 3 - 2
4 of 11
www.diodes.com
July 2012
? Diodes Incorporated
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